AET3152AP,替代TDM3307,高性价比PMOS场效应管芯片详细内容
AET3152AP,替代TDM3307高性价比PMOS场效应管芯片适合人群:电子工程师、硬件以及需要替换或选择MOSFET器件的设计人员。;
使用场景及目标:①用于电源管理、开关切换等应用场景;②帮助工程师评估是否适用于便携式或台式电脑等设备;③为产品选型提供详细的电气和物理参数参考。
AET3152AP芯片特性:
AET3152AP具有-30V的漏源电压、-40A的连续漏电流以及低导通电阻(RDS(ON)在VGS=-10V时为11mΩ)。它支持快速开关操作,符合RoHS标准,不含卤素和锑。文档还提供了额定值、热特性、电气特性、动态特性和反向二管特性等详细数据,并附有电气特图表和物理尺寸信息。
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